ÖZET Yeni üretilmiş Metal/p-Si/Cu (omik) ve Metal/p-Si/Cu (non-omik), Schottky diyotların direncine ait parametrelerin nasıl değiştiği araştırılmıştır. Ters ve düz besleme durumunda Schottky diyot parametreleri hesaplanmış, parametreler omik ve nonomik olmasına göre incelenmiştir. Bu verilerden yararlanılarak diyotun toplam direnci de hesaplanmıştır. Yeni bir matematik yaklaşımla “seri direnç” incelenmiş ve ilginç sonuçlara ulaşılmıştır.

ABSTRACT Newly produced Metal/p-Si/Cu (omic) and Metal/p-Si/Cu (non-omic) investigated how the parameters for the resistance of Schottky diodes changed. Schottky diode parameters were calculated in case of reverse and forward bias, and parameters this data, the total resistance of the diode was also calculated. "serial resistance" was examined with a new mathematical approach and interesting results were reached.